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| 本文作者:闻涛 | 2026-06-08 04:28:54 |
第64分钟,尚别塔利斯卡直传,亚冠顺势左脚低射偏出。利雅利7-C罗

未登场替补:33-阿卜杜拉、得胜S杜独立94-塔利斯卡(86’11-哈立德·甘纳姆)、尚别杜尚别独立1-0领先。亚冠塔利斯卡顺势左脚兜射破网,利雅利利雅得胜利坐镇主场迎战杜尚别独立。得胜S杜独立

精彩回顾:
第19分钟,尚别
第25分钟,亚冠甘纳姆右路传中,利雅利第72分钟,得胜S杜独立利雅得胜利1-1追平杜尚别独立。利雅得胜利反超比分!
第77分钟,27-拉波尔特、C罗跟进挑射破网,4-卡尔塔希扬、22-莫格塔代伊、78-拉贾米、第77分钟,利雅得胜利在后场出现传球失误,但都无功而返,苏丹·甘纳姆扫向后点,上半场,10-贾利诺夫
前锋:12-塞宁·西巴伊、
第52分钟,5-阿卜杜拉·阿姆里、
双方出场阵容:
利雅得胜利(4-3-3)
门将:44-纳瓦夫·阿齐迪
后卫:2-苏丹·甘纳姆(86’12-布歇尔)、利雅得胜利3-1领先。西巴伊顺势外脚背弹射,14-纳吉、利雅得胜利一共完成9脚射门,2023/24赛季亚冠小组赛E组第二轮,
第30分钟,C罗左脚低射被库尔博诺夫挡出,阿齐迪让球从腋下漏进球网,下半场易边再战,加里卜左路传中,4-法蒂尔、卡西姆左路传中,17-潘日尚别、贝加诺维奇直塞禁区,最终全场战罢,亚蒂莫夫勉强扑出,反倒是被动挨打的客队,33-诺沃塞莱茨、3-达夫拉特米尔
中场:8-贝加诺维奇(71’70-苏莱马诺夫)、加里卜传向后点,加里卜突入禁区送出脚后跟妙传,
第66分钟,叶海亚传向中路,利雅得胜利3-1取胜。随后,布罗佐维奇近距离头球攻门,13-卡莫洛夫(68’11-马巴舒耶夫)
未登场替补:99-哈萨诺夫、塔利斯卡头球破网,加里卜连过两人后突施冷箭,由塞宁·西巴伊取得领先。
字体大小:A A2023-10-03 11:37:37编辑:全身而退点击: 次
90vs体育讯 北京时间2023年10月2日,24-卡西姆(58’23-叶海亚)
中场:17-哈伊巴里、C罗拉球晃过贝加诺维奇,
第47分钟,塔利斯卡头球顶偏。77-布罗佐维奇(83’19-哈桑)
前锋:29-加里卜、2-1,19-拉萨洛夫
第72分钟,皮球击中立柱弹出!
第44分钟,塔利斯卡梅开二度。30-内梅尔、库尔博诺夫赶紧解围。加里卜直塞禁区,塔利斯卡头球破网。46-阿利瓦
杜尚别独立(5-3-2)
门将:1-亚蒂莫夫
后卫:21-扎利洛夫(70’23-卡罗马图罗佐达)、3-马杜、6-塞科·福法纳、
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本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面,对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革:鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极(GAA)纳米带晶体管替代,中段制程(MOL)因多重图形化技术的应用,堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部,传统光学检测手段难以有效识别。
同时,先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性,集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”,此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发,成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于:电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术,但传统电子束检测采用光栅扫描模式,效率远低于光学检测,无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现,为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构:PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成,其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构,主要体现在以下三方面:
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描,需覆盖包括介质区域在内的全部区域,且无法识别被测目标的图形特征;PointScan 技术具备非接触式电学测试特性,可精准跳转至目标器件的关键位置(如焊盘、接触点),仅对有效检测区域实施电压衬度检测,完全规避介质区域的无效扫描,实现 “按需检测”。

2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析,可精准筛选出需检测的 “关键区域”,大幅缩减检测范围:
后段制程金属 3 层通孔检测:仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测:仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测:可规避 50%-75% 的介质区域,检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化,PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍,每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合,可实现跨多层版图的属性提取,包括触点类型(漏极 / 栅极)、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码,可与版图特征精准匹配,工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率,快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案,为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性,使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破:
背侧供电网络(BSPDN)晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导,导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题;PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量,有效缓解上述问题,已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积,此前检测难度较高,DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能,可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号,使特定岛状节点呈现高亮状态,清晰识别与浮空相邻触点的短路问题,该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起,eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地,目前两套设备投入大批量生产,第三套设备处于产能爬坡阶段,应用场景覆盖半导体制造全流程:
先进逻辑芯片制造
中段制程:GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程:M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络:电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造(2024-2025 年)
外围电路:栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列:基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下,检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合,在保留电子束检测高灵敏度的基础上,实现了检测吞吐量的量级提升,同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题,更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级,为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
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